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  • 原廠揚(yáng)杰IGBT模塊現(xiàn)貨供應(yīng)

    絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點(diǎn),具有良好的特性,應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發(fā)射極。原廠揚(yáng)杰IGBT模塊現(xiàn)貨供應(yīng)

    更新時(shí)間:2024-04-11
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  • 英飛凌INFINEON整流橋模塊

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    更新時(shí)間:2024-07-11
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  • 晶閘管模塊英飛凌INFINEON

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    更新時(shí)間:2024-07-11
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  • 原廠英飛凌INFINEON現(xiàn)貨供應(yīng)可控硅模塊

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    更新時(shí)間:2024-03-26
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  • 英飛凌INFINEON二極管模塊

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